सिलिकॉन थर्मल ऑक्साइड वेफर

युक्तियाँ: ऑक्सीकरण प्रकार

1. शुष्क ऑक्सीकरण

सिलिकॉन ऑक्सीजन के साथ प्रतिक्रिया करता है, और ऑक्साइड परत बेसल परत की ओर बढ़ती है।शुष्क ऑक्सीकरण को 850 से 1200 डिग्री सेल्सियस के तापमान पर करने की आवश्यकता होती है, और विकास दर कम होती है, जिसका उपयोग एमओएस इन्सुलेशन गेट विकास के लिए किया जा सकता है।जब उच्च गुणवत्ता, अति पतली सिलिकॉन ऑक्साइड परत की आवश्यकता होती है, तो गीले ऑक्सीकरण की तुलना में शुष्क ऑक्सीकरण को प्राथमिकता दी जाती है।

शुष्क ऑक्सीकरण क्षमता: 15 एनएम ~ 300 एनएम (150 ए ~ 3000 ए)

2. गीला ऑक्सीकरण

यह विधि ~1000 डिग्री सेल्सियस पर जलाने के लिए हाइड्रोजन और उच्च-शुद्धता ऑक्सीजन के मिश्रण का उपयोग करती है, इस प्रकार ऑक्साइड परत बनाने के लिए जल वाष्प का उत्पादन करती है।यद्यपि गीला ऑक्सीकरण शुष्क ऑक्सीकरण के रूप में उच्च गुणवत्ता वाली ऑक्सीकरण परत का उत्पादन नहीं कर सकता है, लेकिन सूखे ऑक्सीकरण की तुलना में अलगाव क्षेत्र के रूप में उपयोग करने के लिए पर्याप्त है, इसका स्पष्ट लाभ यह है कि इसकी वृद्धि दर अधिक है।

गीली ऑक्सीकरण क्षमता: 50nm ~ 15µm (500A ~15µm)

3. सूखी विधि - गीली विधि - सूखी विधि

इस विधि में, प्रारंभिक चरण में शुद्ध सूखी ऑक्सीजन को ऑक्सीकरण भट्ठी में छोड़ा जाता है, ऑक्सीकरण के बीच में हाइड्रोजन जोड़ा जाता है, और अंत में शुद्ध शुष्क ऑक्सीजन के साथ ऑक्सीकरण जारी रखने के लिए हाइड्रोजन को संग्रहीत किया जाता है ताकि सघन ऑक्सीकरण संरचना बनाई जा सके। पानी की भाप के रूप में सामान्य गीली ऑक्सीकरण प्रक्रिया।

4. टीईओएस ऑक्सीकरण