भाग/1CVD (रासायनिक वाष्प जमाव) विधि: 900-2300℃ पर, TaCl5 और CnHm को टैंटलम और कार्बन स्रोतों के रूप में, H₂ को कम करने वाले वातावरण के रूप में, अर₂ को वाहक गैस के रूप में, प्रतिक्रिया जमाव फिल्म के रूप में उपयोग किया जाता है।तैयार कोटिंग कॉम्पैक्ट, एक समान और उच्च शुद्धता वाली है।हालाँकि, कुछ समस्याएँ हैं...
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