सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एकल क्रिस्टल सामग्री में एक बड़ी बैंड गैप चौड़ाई (~Si 3 गुना), उच्च तापीय चालकता (~Si 3.3 गुना या GaAs 10 गुना), उच्च इलेक्ट्रॉन संतृप्ति प्रवासन दर (~Si 2.5 गुना), उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक है फ़ील्ड (~Si 10 बार या GaAs 5 बार) और अन्य उत्कृष्ट विशेषताएं।
उच्च तापमान, उच्च दबाव, उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और एयरोस्पेस, सैन्य, परमाणु ऊर्जा इत्यादि जैसे चरम पर्यावरणीय अनुप्रयोगों के क्षेत्र में SiC उपकरणों के अपूरणीय फायदे हैं, जो व्यावहारिक रूप से पारंपरिक अर्धचालक सामग्री उपकरणों के दोषों को पूरा करते हैं। अनुप्रयोग, और धीरे-धीरे विद्युत अर्धचालकों की मुख्यधारा बन रहे हैं।
4H-SiC सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट विनिर्देश
| आइटम का विवरण | विशेष विवरण | |
| बहुप्रकार | 4H-SiC | 6H-SiC |
| व्यास | 2 इंच |3 इंच |4 इंच |6 इंच | 2 इंच |3 इंच |4 इंच |6 इंच |
| मोटाई | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| प्रवाहकत्त्व | एन - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेटिंग | एन - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेटिंग |
| डोपेंट | N2 (नाइट्रोजन)V (वैनेडियम) | N2 (नाइट्रोजन) V (वैनेडियम) |
| अभिविन्यास | अक्ष पर <0001> | अक्ष पर <0001> |
| प्रतिरोधकता | 0.015 ~ 0.03 ओम-सेमी | 0.02 ~ 0.1 ओम-सेमी |
| माइक्रोपाइप घनत्व (एमपीडी) | ≤10/सेमी2 ~ ≤1/सेमी2 | ≤10/सेमी2 ~ ≤1/सेमी2 |
| टीटीवी | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| धनुष/ताना | ≤25 μm | ≤25 μm |
| सतह | डीएसपी/एसएसपी | डीएसपी/एसएसपी |
| श्रेणी | उत्पादन/अनुसंधान ग्रेड | उत्पादन/अनुसंधान ग्रेड |
| क्रिस्टल स्टैकिंग अनुक्रम | एबीसीबी | एबीसीएबीसी |
| जालीदार मापदंड | ए=3.076ए, सी=10.053ए | ए=3.073ए, सी=15.117ए |
| उदाहरण/eV(बैंड-गैप) | 3.27 ई.वी | 3.02 ई.वी |
| ε(ढांकता हुआ स्थिरांक) | 9.6 | 9.66 |
| अपवर्तन सूचकांक | n0 =2.719 ने =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
6H-SiC सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट विनिर्देश
| आइटम का विवरण | विशेष विवरण |
| बहुप्रकार | 6H-सिक |
| व्यास | 4 इंच |6 इंच |
| मोटाई | 350μm ~ 450μm |
| प्रवाहकत्त्व | एन - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेटिंग |
| डोपेंट | N2(नाइट्रोजन) |
| अभिविन्यास | <0001> 4°±0.5° से छूट |
| प्रतिरोधकता | 0.02 ~ 0.1 ओम-सेमी |
| माइक्रोपाइप घनत्व (एमपीडी) | ≤ 10/सेमी2 |
| टीटीवी | ≤ 15 μm |
| धनुष/ताना | ≤25 μm |
| सतह | सी फेस: सीएमपी, एपी-रेडी |
| श्रेणी | अनुसंधान ग्रेड |
