सेमीसेरा काSiC पैडलन्यूनतम तापीय विस्तार के लिए इंजीनियर किया गया है, जो उन प्रक्रियाओं में स्थिरता और सटीकता प्रदान करता है जहां आयामी सटीकता महत्वपूर्ण है। यह उन्हें अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता हैवेफर्सबार-बार हीटिंग और कूलिंग चक्रों के अधीन होते हैं, क्योंकि वेफर नाव लगातार प्रदर्शन सुनिश्चित करते हुए अपनी संरचनात्मक अखंडता बनाए रखती है।
सेमीसेरा को शामिल करनासिलिकॉन कार्बाइड प्रसार पैडलआपकी उत्पादन लाइन में उनके बेहतर तापीय और रासायनिक गुणों के कारण आपकी प्रक्रिया की विश्वसनीयता बढ़ेगी। ये पैडल प्रसार, ऑक्सीकरण और एनीलिंग प्रक्रियाओं के लिए बिल्कुल सही हैं, यह सुनिश्चित करते हुए कि वेफर्स को प्रत्येक चरण में देखभाल और सटीकता के साथ संभाला जाता है।
नवप्रवर्तन सेमीसेरा के मूल में हैSiC चप्पूडिज़ाइन। ये पैडल मौजूदा सेमीकंडक्टर उपकरणों में सहजता से फिट होने के लिए तैयार किए गए हैं, जो बेहतर हैंडलिंग दक्षता प्रदान करते हैं। हल्की संरचना और एर्गोनोमिक डिज़ाइन न केवल वेफर परिवहन में सुधार करते हैं बल्कि परिचालन डाउनटाइम को भी कम करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप सुव्यवस्थित उत्पादन होता है।
| पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड के भौतिक गुण | |
| संपत्ति | विशिष्ट मूल्य |
| कार्य तापमान (डिग्री सेल्सियस) | 1600°C (ऑक्सीजन के साथ), 1700°C (कम करने वाला वातावरण) |
| SiC सामग्री | > 99.96% |
| निःशुल्क सी सामग्री | <0.1% |
| थोक घनत्व | 2.60-2.70 ग्राम/सेमी3 |
| स्पष्ट सरंध्रता | <16% |
| संपीड़न ताकत | > 600 एमपीए |
| ठंडी झुकने की ताकत | 80-90 एमपीए (20 डिग्री सेल्सियस) |
| गर्म झुकने की शक्ति | 90-100 एमपीए (1400 डिग्री सेल्सियस) |
| थर्मल विस्तार @1500°C | 4.70 10-6/डिग्री सेल्सियस |
| तापीय चालकता @1200°C | 23 डब्लू/एम•के |
| लोचदार मापांक | 240 जीपीए |
| थर्मल शॉक प्रतिरोध | बहुत ही अच्छा |
