सेमीसेरा विभिन्न घटकों और वाहकों के लिए विशेष टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स प्रदान करता है।सेमीसेरा लीडिंग कोटिंग प्रक्रिया टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स को उच्च शुद्धता, उच्च तापमान स्थिरता और उच्च रासायनिक सहनशीलता प्राप्त करने में सक्षम बनाती है, जिससे SIC/GAN क्रिस्टल और EPI परतों की उत्पाद गुणवत्ता में सुधार होता है (ग्रेफाइट लेपित TaC सुसेप्टर), और प्रमुख रिएक्टर घटकों के जीवन का विस्तार करना। टैंटलम कार्बाइड टीएसी कोटिंग का उपयोग किनारे की समस्या को हल करने और क्रिस्टल विकास की गुणवत्ता में सुधार करने के लिए है, और सेमीसेरा ने टैंटलम कार्बाइड कोटिंग तकनीक (सीवीडी) को हल कर लिया है, जो अंतरराष्ट्रीय उन्नत स्तर तक पहुंच गया है।
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) अर्धचालकों की तीसरी पीढ़ी में एक प्रमुख सामग्री है, लेकिन इसकी उपज दर उद्योग के विकास के लिए एक सीमित कारक रही है। सेमीसेरा की प्रयोगशालाओं में व्यापक परीक्षण के बाद, यह पाया गया है कि छिड़काव और सिंटर किए गए TaC में आवश्यक शुद्धता और एकरूपता का अभाव है। इसके विपरीत, सीवीडी प्रक्रिया 5 पीपीएम का शुद्धता स्तर और उत्कृष्ट एकरूपता सुनिश्चित करती है। सीवीडी टीएसी के उपयोग से सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स की उपज दर में काफी सुधार होता है। हम चर्चा का स्वागत करते हैंटैंटलम कार्बाइड सीवीडी कोटिंग गाइड रिंग SiC वेफर्स की लागत को और कम करने के लिए।
वर्षों के विकास के बाद, सेमीसेरा ने प्रौद्योगिकी पर विजय प्राप्त कर ली हैसीवीडी टीएसीअनुसंधान एवं विकास विभाग के संयुक्त प्रयासों से। SiC वेफर्स की वृद्धि प्रक्रिया में दोष उत्पन्न होना आसान है, लेकिन उपयोग के बादटीएसी, अंतर महत्वपूर्ण है. नीचे टीएसी के साथ और बिना टीएसी के वेफर्स की तुलना की गई है, साथ ही एकल क्रिस्टल विकास के लिए सिमिसेरा के हिस्सों की भी तुलना की गई है।
टीएसी के साथ और उसके बिना
TaC का उपयोग करने के बाद (दाएं)
इसके अलावा, सेमीसेरा काTaC-लेपित उत्पादकी तुलना में लंबे समय तक सेवा जीवन और अधिक उच्च तापमान प्रतिरोध प्रदर्शित करता हैSiC कोटिंग्स.प्रयोगशाला मापों से पता चला है कि हमाराTaC कोटिंग्सलंबे समय तक 2300 डिग्री सेल्सियस तक के तापमान पर लगातार काम कर सकता है। नीचे हमारे नमूनों के कुछ उदाहरण दिए गए हैं:
