सेमीसेरा सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स को सेमीकंडक्टर उद्योग की कठोर मांगों को पूरा करने के लिए तैयार किया गया है, जो अद्वितीय गुणवत्ता और सटीकता प्रदान करता है। ये सबस्ट्रेट्स एकीकृत सर्किट से लेकर फोटोवोल्टिक कोशिकाओं तक विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय आधार प्रदान करते हैं, जो इष्टतम प्रदर्शन और दीर्घायु सुनिश्चित करते हैं।
सेमीसेरा सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स की उच्च शुद्धता न्यूनतम दोष और बेहतर विद्युत विशेषताओं को सुनिश्चित करती है, जो उच्च दक्षता वाले इलेक्ट्रॉनिक घटकों के उत्पादन के लिए महत्वपूर्ण हैं। शुद्धता का यह स्तर ऊर्जा हानि को कम करने और अर्धचालक उपकरणों की समग्र दक्षता में सुधार करने में मदद करता है।
सेमिसेरा असाधारण एकरूपता और सपाटता के साथ सिलिकॉन सब्सट्रेट का उत्पादन करने के लिए अत्याधुनिक विनिर्माण तकनीकों का उपयोग करता है। सेमीकंडक्टर निर्माण में लगातार परिणाम प्राप्त करने के लिए यह परिशुद्धता आवश्यक है, जहां थोड़ी सी भी भिन्नता डिवाइस के प्रदर्शन और उपज को प्रभावित कर सकती है।
विभिन्न आकारों और विशिष्टताओं में उपलब्ध, सेमीसेरा सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स औद्योगिक आवश्यकताओं की एक विस्तृत श्रृंखला को पूरा करते हैं। चाहे आप अत्याधुनिक माइक्रोप्रोसेसर या सौर पैनल विकसित कर रहे हों, ये सब्सट्रेट आपके विशिष्ट एप्लिकेशन के लिए आवश्यक लचीलापन और विश्वसनीयता प्रदान करते हैं।
सेमीसेरा सेमीकंडक्टर उद्योग में नवाचार और दक्षता का समर्थन करने के लिए समर्पित है। उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स प्रदान करके, हम निर्माताओं को प्रौद्योगिकी की सीमाओं को आगे बढ़ाने में सक्षम बनाते हैं, ऐसे उत्पाद वितरित करते हैं जो बाजार की बढ़ती मांगों को पूरा करते हैं। अपने अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रॉनिक और फोटोवोल्टिक समाधानों के लिए सेमीसेरा पर भरोसा करें।
सामान | उत्पादन | अनुसंधान | डमी |
क्रिस्टल पैरामीटर्स | |||
बहुप्रकार | 4H | ||
सतह अभिविन्यास त्रुटि | <11-20 >4±0.15° | ||
विद्युत पैरामीटर्स | |||
डोपेंट | एन-प्रकार नाइट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ओम·सेमी | ||
यांत्रिक पैरामीटर | |||
व्यास | 150.0±0.2मिमी | ||
मोटाई | 350±25 माइक्रोमीटर | ||
प्राथमिक समतल अभिविन्यास | [1-100]±5° | ||
प्राथमिक सपाट लंबाई | 47.5±1.5मिमी | ||
द्वितीयक फ्लैट | कोई नहीं | ||
टीटीवी | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
एलटीवी | ≤3 μm(5मिमी*5मिमी) | ≤5 माइक्रोन(5मिमी*5मिमी) | ≤10 μm(5मिमी*5मिमी) |
झुकना | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
सामने (सी-चेहरा) खुरदरापन (एएफएम) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
संरचना | |||
माइक्रोपाइप घनत्व | <1 ईए/सेमी2 | <10 ईए/सेमी2 | <15 ईए/सेमी2 |
धातु अशुद्धियाँ | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ईए/सेमी2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
टीएसडी | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
सामने की गुणवत्ता | |||
सामने | Si | ||
सतही समापन | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
स्क्रैच | ≤5ea/मिमी. संचयी लंबाई ≤व्यास | संचयी लंबाई≤2*व्यास | NA |
संतरे का छिलका/गड्ढे/दाग/धारियाँ/दरारें/संदूषण | कोई नहीं | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रैक्चर/हेक्स प्लेटें | कोई नहीं | ||
बहुरूपी क्षेत्र | कोई नहीं | संचयी क्षेत्रफल≤20% | संचयी क्षेत्रफल≤30% |
फ्रंट लेजर मार्किंग | कोई नहीं | ||
वापस गुणवत्ता | |||
पिछला समापन | सी-फेस सीएमपी | ||
स्क्रैच | ≤5ea/mm,संचयी लंबाई≤2*व्यास | NA | |
पीछे के दोष (एज चिप्स/इंडेंट्स) | कोई नहीं | ||
पीठ का खुरदरापन | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
बैक लेजर मार्किंग | 1 मिमी (ऊपरी किनारे से) | ||
किनारा | |||
किनारा | नाला | ||
पैकेजिंग | |||
पैकेजिंग | वैक्यूम पैकेजिंग के साथ एपी-रेडी मल्टी-वेफर कैसेट पैकेजिंग | ||
*नोट्स: "एनए" का मतलब कोई अनुरोध नहीं है। जिन आइटमों का उल्लेख नहीं किया गया है वे सेमी-एसटीडी को संदर्भित कर सकते हैं। |