MOCVD के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बेस सुसेप्टर्स

SiC लेपित ग्रेफाइट बेस रिसेप्टर्ससेमीसेरा से एमओसीवीडी को एपिटैक्सियल विकास प्रक्रियाओं में असाधारण प्रदर्शन प्रदान करने के लिए इंजीनियर किया गया है। ग्रेफाइट बेस पर उच्च गुणवत्ता वाली सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग एमओसीवीडी (मेटल ऑर्गेनिक केमिकल वाष्प जमाव) संचालन के दौरान स्थिरता, स्थायित्व और इष्टतम तापीय चालकता सुनिश्चित करती है। सेमीसेरा की नवोन्मेषी ससेप्टर तकनीक का उपयोग करके, आप बढ़ी हुई सटीकता और दक्षता प्राप्त कर सकते हैंसी एपिटैक्सीऔरSiC एपिटैक्सीअनुप्रयोग.

इनएमओसीवीडी रिसेप्टर्सआवश्यक अर्धचालक घटकों की एक श्रृंखला का समर्थन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जैसेपीएसएस नक़्क़ाशी वाहक, आईसीपी नक़्क़ाशी वाहक, औरआरटीपी वाहक, जो उन्हें विभिन्न नक़्क़ाशी और एपिटैक्सियल कार्यों के लिए बहुमुखी बनाता है। उच्च मानकों के प्रति सेमीसेरा की प्रतिबद्धता यह सुनिश्चित करती है कि ये रिसेप्टर्स आधुनिक सेमीकंडक्टर उत्पादन की कठोर मांगों को पूरा करते हैं।

में उपयोग के लिए आदर्शएलईडी एपिटैक्सियलससेप्टर, बैरल ससेप्टर और मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्रक्रियाएं, इन ससेप्टर्स को पैनकेक ससेप्टर कॉन्फ़िगरेशन सहित विभिन्न वेफर आकारों के लिए अनुकूलित किया जा सकता है। वे फोटोवोल्टिक भागों को संभालने में भी अत्यधिक प्रभावी हैं, जिससे वे कुशल सौर कोशिकाओं के विकास में एक महत्वपूर्ण घटक बन जाते हैं।

इसके अलावा, MOCVD के लिए SiC कोटेड ग्रेफाइट बेस ससेप्टर्स SiC एपिटैक्सी पर GaN के लिए अनुकूलित हैं, जो उन्नत सेमीकंडक्टर सामग्रियों के साथ उच्च अनुकूलता प्रदान करते हैं। चाहे आप पैदावार में सुधार लाने या एपिटैक्सियल विकास की गुणवत्ता बढ़ाने पर ध्यान केंद्रित कर रहे हों, सेमीसेरा के रिसेप्टर्स उच्च तकनीक उद्योगों में सफलता के लिए आवश्यक विश्वसनीयता और प्रदर्शन प्रदान करते हैं।