LiNbO3 बॉन्डिंग वेफर

संक्षिप्त वर्णन:

लिथियम नाइओबेट क्रिस्टल में उत्कृष्ट इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल, एकोस्टो-ऑप्टिकल, पीजोइलेक्ट्रिक और नॉनलाइनियर गुण होते हैं। लिथियम नाइओबेट क्रिस्टल अच्छे नॉनलाइनियर ऑप्टिकल गुणों और बड़े नॉनलाइनियर ऑप्टिकल गुणांक वाला एक महत्वपूर्ण बहुक्रियाशील क्रिस्टल है; यह गैर-महत्वपूर्ण चरण मिलान भी प्राप्त कर सकता है। इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल क्रिस्टल के रूप में, इसका उपयोग एक महत्वपूर्ण ऑप्टिकल वेवगाइड सामग्री के रूप में किया गया है; पीजोइलेक्ट्रिक क्रिस्टल के रूप में, इसका उपयोग मध्यम और निम्न आवृत्ति SAW फिल्टर, उच्च-शक्ति उच्च तापमान प्रतिरोधी अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर आदि बनाने के लिए किया जा सकता है। डोप्ड लिथियम नाइओबेट सामग्री का भी व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

सेमीसेरा के LiNbO3 बॉन्डिंग वेफर को उन्नत सेमीकंडक्टर विनिर्माण की उच्च मांगों को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। बेहतर घिसाव प्रतिरोध, उच्च तापीय स्थिरता और उत्कृष्ट शुद्धता सहित अपने असाधारण गुणों के साथ, यह वेफर उन अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए आदर्श है जिनके लिए सटीक और लंबे समय तक चलने वाले प्रदर्शन की आवश्यकता होती है।

सेमीकंडक्टर उद्योग में, LiNbO3 बॉन्डिंग वेफर्स का उपयोग आमतौर पर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, सेंसर और उन्नत आईसी में पतली परतों को जोड़ने के लिए किया जाता है। उनके उत्कृष्ट ढांकता हुआ गुणों और कठोर परिचालन स्थितियों का सामना करने की क्षमता के कारण उन्हें फोटोनिक्स और एमईएमएस (माइक्रो-इलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम) में विशेष रूप से महत्व दिया जाता है। सेमीसेरा के LiNbO3 बॉन्डिंग वेफर को सटीक लेयर बॉन्डिंग का समर्थन करने के लिए इंजीनियर किया गया है, जो सेमीकंडक्टर उपकरणों के समग्र प्रदर्शन और विश्वसनीयता को बढ़ाता है।

LiNbO3 के थर्मल और विद्युत गुण
गलनांक 1250 ℃
क्यूरी तापमान 1140 ℃
ऊष्मीय चालकता 38 डब्लू/एम/के @ 25 ℃
थर्मल विस्तार का गुणांक (@ 25°C)

//ए,2.0×10-6/के

//सी,2.2×10-6/के

प्रतिरोधकता 2×10-6Ω·सेमी @ 200 ℃
पारद्युतिक स्थिरांक

εS11/ε0=43,εT11/ε0=78

εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2

पीजोइलेक्ट्रिक स्थिरांक

D22=2.04×10-11सी/एन

D33=19.22×10-11सी/एन

इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक

γT33=32 बजे/वी, γएस33=31 अपराह्न/वि,

γT31=10 बजे/वी, γएस31=8.6 अपराह्न/V,

γT22=6.8 अपराह्न/वी, γएस22=3.4 अपराह्न/वी,

अर्ध-तरंग वोल्टेज, डीसी
विद्युत क्षेत्र // z, प्रकाश ⊥ Z;
विद्युत क्षेत्र // x या y, प्रकाश ⊥ z

3.03 के.वी

4.02 के.वी

उच्च गुणवत्ता वाली सामग्रियों का उपयोग करके तैयार किया गया, LiNbO3 बॉन्डिंग वेफर चरम स्थितियों में भी लगातार विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है। इसकी उच्च तापीय स्थिरता इसे ऊंचे तापमान वाले वातावरण के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाती है, जैसे कि सेमीकंडक्टर एपिटॉक्सी प्रक्रियाओं में पाए जाते हैं। इसके अतिरिक्त, वेफर की उच्च शुद्धता न्यूनतम संदूषण सुनिश्चित करती है, जो इसे महत्वपूर्ण अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय विकल्प बनाती है।

सेमिसेरा में, हम उद्योग-अग्रणी समाधान प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं। हमारा LiNbO3 बॉन्डिंग वेफर उच्च शुद्धता, पहनने के प्रतिरोध और थर्मल स्थिरता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए बेजोड़ स्थायित्व और उच्च प्रदर्शन क्षमता प्रदान करता है। चाहे उन्नत अर्धचालक उत्पादन हो या अन्य विशिष्ट प्रौद्योगिकियां, यह वेफर अत्याधुनिक उपकरण निर्माण के लिए एक आवश्यक घटक के रूप में कार्य करता है।

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