सेमीसेरा सेमीकंडक्टर अत्याधुनिक पेशकश करता हैSiC क्रिस्टलअत्यधिक कुशल का उपयोग करके उगाया गयाप्राइवेट विधि. उपयोग करकेसीवीडी-SiCSiC स्रोत के रूप में पुनर्योजी ब्लॉक, हमने 1.46 मिमी h−1 की उल्लेखनीय वृद्धि दर हासिल की है, जिससे कम सूक्ष्मनलिकाएं और अव्यवस्था घनत्व के साथ उच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल गठन सुनिश्चित होता है। यह नवोन्मेषी प्रक्रिया उच्च प्रदर्शन की गारंटी देती हैSiC क्रिस्टलविद्युत अर्धचालक उद्योग में मांगलिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त।
SiC क्रिस्टल पैरामीटर (विनिर्देश)
- विकास विधि: भौतिक वाष्प परिवहन (पीवीटी)
- विकास दर: 1.46 मिमी एच−1
- क्रिस्टल गुणवत्ता: उच्च, कम सूक्ष्मनलिकाएं और अव्यवस्था घनत्व के साथ
- सामग्री: SiC (सिलिकॉन कार्बाइड)
- अनुप्रयोग: उच्च वोल्टेज, उच्च शक्ति, उच्च आवृत्ति अनुप्रयोग
SiC क्रिस्टल सुविधा और अनुप्रयोग
सेमीसेरा सेमीकंडक्टर's SiC क्रिस्टलके लिए आदर्श हैंउच्च-प्रदर्शन अर्धचालक अनुप्रयोग. वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री उच्च वोल्टेज, उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए बिल्कुल सही है। हमारे क्रिस्टल सबसे कड़े गुणवत्ता मानकों को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं, जो विश्वसनीयता और दक्षता सुनिश्चित करते हैंविद्युत अर्धचालक अनुप्रयोग.
SiC क्रिस्टल विवरण
कुचले हुए का उपयोग करनासीवीडी-एसआईसी ब्लॉकस्रोत सामग्री के रूप में, हमाराSiC क्रिस्टलपारंपरिक तरीकों की तुलना में बेहतर गुणवत्ता प्रदर्शित करते हैं। उन्नत पीवीटी प्रक्रिया कार्बन समावेशन जैसे दोषों को कम करती है और उच्च शुद्धता के स्तर को बनाए रखती है, जिससे हमारे क्रिस्टल अत्यधिक उपयुक्त बन जाते हैं।अर्धचालक प्रक्रियाएंअत्यधिक सटीकता की आवश्यकता है।
