हमारी कंपनी उपलब्ध कराती हैSiC कोटिंगसीवीडी विधि द्वारा ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर प्रक्रिया सेवाएं, ताकि कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च शुद्धता वाले सिक अणुओं को प्राप्त करने के लिए उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया कर सकें, जिन्हें लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा किया जा सकता है।SiC सुरक्षात्मक परतएपिटेक्सी बैरल प्रकार हाई प्नोटिक के लिए।
मुख्य विशेषताएं:
1 .उच्च शुद्धता SiC लेपित ग्रेफाइट
2. बेहतर गर्मी प्रतिरोध और थर्मल एकरूपता
3. ठीक हैSiC क्रिस्टल लेपितचिकनी सतह के लिए
4. रासायनिक सफाई के खिलाफ उच्च स्थायित्व
की मुख्य विशिष्टताएँसीवीडी-एसआईसी कोटिंग
| SiC-सीवीडी गुण | ||
| क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण | |
| घनत्व | जी/सेमी ³ | 3.21 |
| कठोरता | विकर्स कठोरता | 2500 |
| अनाज आकार | माइक्रोन | 2~10 |
| रासायनिक शुद्धता | % | 99.99995 |
| ताप की गुंजाइश | जे·किलो-1 ·के-1 | 640 |
| उर्ध्वपातन तापमान | ℃ | 2700 |
| फेलेक्सुरल ताकत | एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) | 415 |
| यंग का मापांक | जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃) | 430 |
| थर्मल विस्तार (सीटीई) | 10-6K -1 | 4.5 |
| ऊष्मीय चालकता | (डब्ल्यू/एमके) | 300 |
