टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित ग्रेफाइट रिंग

संक्षिप्त वर्णन:

टैंटलम कार्बाइड कोटिंग एक उन्नत सतह कोटिंग तकनीक है जो सब्सट्रेट की सतह पर एक कठोर, पहनने के लिए प्रतिरोधी और संक्षारण प्रतिरोधी सुरक्षात्मक परत बनाने के लिए टैंटलम कार्बाइड सामग्री का उपयोग करती है। इस कोटिंग में उत्कृष्ट गुण हैं जो घर्षण और घिसाव को कम करते हुए सामग्री की कठोरता, उच्च तापमान प्रतिरोध और रासायनिक प्रतिरोध को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाते हैं। टैंटलम कार्बाइड कोटिंग्स का व्यापक रूप से औद्योगिक विनिर्माण, एयरोस्पेस, ऑटोमोटिव इंजीनियरिंग और चिकित्सा उपकरण सहित विभिन्न क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है, ताकि भौतिक जीवन का विस्तार किया जा सके, उत्पादन क्षमता में सुधार किया जा सके और रखरखाव लागत को कम किया जा सके। चाहे धातु की सतहों को जंग से बचाना हो या यांत्रिक भागों के पहनने के प्रतिरोध और ऑक्सीकरण प्रतिरोध को बढ़ाना हो, टैंटलम कार्बाइड कोटिंग्स विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करती हैं।


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

सेमीसेरा विभिन्न घटकों और वाहकों के लिए विशेष टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स प्रदान करता है।सेमीसेरा लीडिंग कोटिंग प्रक्रिया टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स को उच्च शुद्धता, उच्च तापमान स्थिरता और उच्च रासायनिक सहनशीलता प्राप्त करने में सक्षम बनाती है, जिससे SIC/GAN क्रिस्टल और EPI परतों की उत्पाद गुणवत्ता में सुधार होता है (ग्रेफाइट लेपित TaC सुसेप्टर), और प्रमुख रिएक्टर घटकों के जीवन का विस्तार करना। टैंटलम कार्बाइड टीएसी कोटिंग का उपयोग किनारे की समस्या को हल करने और क्रिस्टल विकास की गुणवत्ता में सुधार करने के लिए है, और सेमीसेरा सेमीसेरा ने टैंटलम कार्बाइड कोटिंग तकनीक (सीवीडी) को हल कर लिया है, जो अंतरराष्ट्रीय उन्नत स्तर तक पहुंच गया है।

 

वर्षों के विकास के बाद, सेमीसेरा ने प्रौद्योगिकी पर विजय प्राप्त कर ली हैसीवीडी टीएसीअनुसंधान एवं विकास विभाग के संयुक्त प्रयासों से। SiC वेफर्स की वृद्धि प्रक्रिया में दोष उत्पन्न होना आसान है, लेकिन उपयोग के बादटीएसी, अंतर महत्वपूर्ण है. नीचे टीएसी के साथ और बिना टीएसी के वेफर्स की तुलना की गई है, साथ ही एकल क्रिस्टल विकास के लिए सिमिसेरा के हिस्सों की भी तुलना की गई है

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टीएसी के साथ और उसके बिना

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TaC का उपयोग करने के बाद (दाएं)

इसके अलावा, सेमीसेरा के TaC कोटिंग उत्पादों का सेवा जीवन SiC कोटिंग की तुलना में अधिक लंबा और उच्च तापमान के प्रति अधिक प्रतिरोधी है। प्रयोगशाला माप डेटा के लंबे समय के बाद, हमारा TaC अधिकतम 2300 डिग्री सेल्सियस पर लंबे समय तक काम कर सकता है। हमारे कुछ नमूने निम्नलिखित हैं:

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(ए) पीवीटी विधि द्वारा सीआईसी एकल क्रिस्टल पिंड उगाने वाले उपकरण का योजनाबद्ध आरेख (बी) शीर्ष टीएसी लेपित बीज ब्रैकेट (सीआईसी बीज सहित) (सी) टीएसी-लेपित ग्रेफाइट गाइड रिंग

ZDFVzCFV
मुख्य विशेषता
सेमीसेरा कार्यस्थल
सेमीसेरा कार्यस्थल 2
उपकरण मशीन
सीएनएन प्रसंस्करण, रासायनिक सफाई, सीवीडी कोटिंग
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