के मुख्य घटकों में से एक के रूप मेंएमओसीवीडी उपकरण, ग्रेफाइट बेस सब्सट्रेट का वाहक और हीटिंग बॉडी है, जो सीधे फिल्म सामग्री की एकरूपता और शुद्धता निर्धारित करता है, इसलिए इसकी गुणवत्ता सीधे एपिटैक्सियल शीट की तैयारी को प्रभावित करती है, और साथ ही, की संख्या में वृद्धि के साथ उपयोग और कामकाजी परिस्थितियों में बदलाव, उपभोग्य सामग्रियों से संबंधित, इसे पहनना बहुत आसान है।
यद्यपि ग्रेफाइट में उत्कृष्ट तापीय चालकता और स्थिरता है, लेकिन आधार घटक के रूप में इसका अच्छा लाभ हैएमओसीवीडी उपकरण, लेकिन उत्पादन प्रक्रिया में, ग्रेफाइट संक्षारक गैसों और धातु कार्बनिक पदार्थों के अवशेषों के कारण पाउडर को संक्षारित कर देगा, और ग्रेफाइट बेस की सेवा जीवन बहुत कम हो जाएगी। वहीं, ग्रेफाइट पाउडर गिरने से चिप में प्रदूषण फैलेगा।
कोटिंग तकनीक का उद्भव सतह पाउडर निर्धारण प्रदान कर सकता है, तापीय चालकता बढ़ा सकता है और गर्मी वितरण को बराबर कर सकता है, जो इस समस्या को हल करने के लिए मुख्य तकनीक बन गई है। ग्रेफाइट आधार मेंएमओसीवीडी उपकरणपर्यावरण का उपयोग करें, ग्रेफाइट बेस सतह कोटिंग को निम्नलिखित विशेषताओं को पूरा करना चाहिए:
(1) ग्रेफाइट बेस को पूरी तरह से लपेटा जा सकता है, और घनत्व अच्छा है, अन्यथा संक्षारक गैस में ग्रेफाइट बेस का संक्षारण करना आसान है।
(2) ग्रेफाइट बेस के साथ संयोजन शक्ति यह सुनिश्चित करने के लिए उच्च है कि कई उच्च तापमान और निम्न तापमान चक्रों के बाद कोटिंग गिरना आसान नहीं है।
(3) उच्च तापमान और संक्षारक वातावरण में कोटिंग की विफलता से बचने के लिए इसमें अच्छी रासायनिक स्थिरता है।
SiC में संक्षारण प्रतिरोध, उच्च तापीय चालकता, थर्मल शॉक प्रतिरोध और उच्च रासायनिक स्थिरता के फायदे हैं, और यह GaN एपिटैक्सियल वातावरण में अच्छी तरह से काम कर सकता है। इसके अलावा, SiC का थर्मल विस्तार गुणांक ग्रेफाइट से बहुत कम भिन्न होता है, इसलिए ग्रेफाइट बेस की सतह कोटिंग के लिए SiC पसंदीदा सामग्री है।
वर्तमान में, सामान्य SiC मुख्य रूप से 3C, 4H और 6H प्रकार का है, और विभिन्न क्रिस्टल प्रकारों के SiC उपयोग अलग-अलग हैं। उदाहरण के लिए, 4H-SiC उच्च-शक्ति उपकरणों का निर्माण कर सकता है; 6H-SiC सबसे स्थिर है और फोटोइलेक्ट्रिक उपकरणों का निर्माण कर सकता है; GaN के समान संरचना के कारण, 3C-SiC का उपयोग GaN एपिटैक्सियल परत का उत्पादन करने और SiC-GaN आरएफ उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है। 3C-SiC को आमतौर पर इस नाम से भी जाना जाता हैβ-SiC, और का एक महत्वपूर्ण उपयोगβ-SiC एक फिल्म और कोटिंग सामग्री के रूप में है, इसलिएβ-SiC वर्तमान में कोटिंग के लिए मुख्य सामग्री है।
पोस्ट समय: नवंबर-06-2023