विवरण
हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर सीवीडी विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएं प्रदान करती है, ताकि कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणुओं, लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा अणुओं को प्राप्त कर सकें। एसआईसी सुरक्षात्मक परत का निर्माण।

मुख्य विशेषताएं
1 .उच्च शुद्धता SiC लेपित ग्रेफाइट
2. बेहतर गर्मी प्रतिरोध और थर्मल एकरूपता
3. चिकनी सतह के लिए महीन SiC क्रिस्टल लेपित
4. रासायनिक सफाई के खिलाफ उच्च स्थायित्व
सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
| SiC-सीवीडी गुण | ||
| क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण | |
| घनत्व | जी/सेमी ³ | 3.21 |
| कठोरता | विकर्स कठोरता | 2500 |
| अनाज आकार | माइक्रोन | 2~10 |
| रासायनिक शुद्धता | % | 99.99995 |
| ताप की गुंजाइश | जे·किलो-1 ·के-1 | 640 |
| उर्ध्वपातन तापमान | ℃ | 2700 |
| फेलेक्सुरल ताकत | एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) | 415 |
| यंग का मापांक | जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃) | 430 |
| थर्मल विस्तार (सीटीई) | 10-6K -1 | 4.5 |
| ऊष्मीय चालकता | (डब्ल्यू/एमके) | 300 |





